20n60s5管参数

题主问的是“20n60场效应管测量好坏的方法吗”测量好坏方法如下1准备一个指针万用表，并将其设置到X10K档或X1K档2将黑色表笔接触场效应管的G极，将红色表笔接触场效应管的S极，保持红色表笔不动3将黑色表笔接触场效应管的D极，观察指针的变化指针有微小的阻值变化，说明场效应管；15N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了一般设计余量应该不止50V，因此我觉得可以试试望采纳。

有FHF20N60低压MOS管就可替代型号TK20A60T低压MOS管20N60为N沟道增强型高压功率场效应管目前DCDC转换器广泛应用于手机MP3数码相机便携式媒体播放器等产品中，在电路类型分类上属于斩波电路，因此在选用MOS管产品的时候，电子产品的厂商电子工程师可以多考虑国内的产品，目前飞虹生产的型号；cs20N60的参数是650，是一带阻的N沟道场效应管根据查询相关资料信息可用H20T120HW20T120H20R1202H20R1203GT40T301代换。

20n60s5是场效应管，一半用于开关电源场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管主要有两种类型junction FETJFET和金属 氧化物半导体场效应管metaloxide semiconductor FET，简称MOSFET由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件具有；从而提高整体电路的效率4 作为一款电力电子器件，20N60的这些参数对于工程师在设计电路时至关重要，它们决定了器件的适用范围和性能表现5 由于其高耐压能力大电流处理能力和低功耗特点，20N60场效应管在电源管理电机控制以及其他高电压大电流应用场景中有着广泛的应用前景。

20N60场效应管是一种高性能的半导体器件，具有多种关键参数其主要参数包括电流与电压特性**最大漏源电流可达20A，漏源击穿电压高达600V，这使得它在高电压大电流的应用场合中表现出色导通电阻**RDSON在特定条件下如VGS=10V时的典型值为03Ω，最大值可达04Ω或042Ω，这。

20n60c是什么管

最大漏极电流Id是另一个关键参数，它表示场效应管在正常工作条件下，漏极所能流过的最大电流20n60的最大漏极电流为20A，这个较大的电流容量使得它适用于需要处理高电流的电路，如电源管理电机控制等导通电阻Rds是场效应管在导通状态下的电阻值，它直接影响器件的功耗和效率20n60具有较低的。

这是一只N沟道场效应三极管，20A，600V只要满足这些参数就可以代换其实20N60这个管子是最容易买到的注意充电器开关管如果击穿可以肯定还有其他元件损坏包括3842控制芯片发射极取样电阻整流二极管也可能击穿一定要检查全面。