IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管h20r1202与h20r1203的区别在于设计编号不同IGBT管由MOS管FET和双极Darlington管组成普通场效应管只需要微弱的驱动电压就可以工作,但在高压大电流状态下工作时,由于管内阻大加热快,很难长时间在高压大电流状态下工作大功率达林顿。
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管h20r1202与h20r1203的区别在于设计编号不同IGBT管由MOS管FET和双极Darlington管组成普通场效应管只需要微弱的驱动电压就可以工作,但在高压大电流状态下工作时,由于管内阻大加热快,很难长时间在高压大电流状态下工作大功率达林顿。
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