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可以带换K3568是东芝的N沟道场效应管，参数为8A，500V功耗50W 用8N60F，10N60F都可以代替场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管主要有两种类型结型场效应管junction FETJFET和金属 氧化物半导体场效应管metaloxide semiconductor FET，简称MOSFET由多数；用gp14hd来进行转换gp14nc60hd管代换需要用用gp14hd来进行转换，gp14nc，n是代表渠道，14a是代表耐压600v，60hd用15n60来进行转换成16hn40cp即可。

放大电路场效应管STGP7NC60HD IGBT用于放大电路，场效应管起放大作用应该工作在漏极特性的饱和区场效应管FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

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